什么是ESD呢?这是当两个带电物体(例如人体和电子设备)彼此接触时，便会释放出静电，这种现象便称为ESD。从人体产生的ESD可以是几千伏的量级，当该高压脉冲进入被触摸的电子设备时，将导致其内部的IC电路的故障或破坏。为了防止由于ESD侵入被触摸的电子设备而导致的产品或系统破坏，便需要安装抑制或消除ESD的对应元器件。在高速电量传输过程中易产生潜在的破坏电压、电流及电磁场，ESD防护器件能够有效保护电子线路中的精密元器件免受各种浪涌脉冲和静电的损坏。ESD静电保护元器件封装多样化。陕西ESD保护器件有哪些
几种主流ESD保护器件的特点及区别：TVS管：TVS(Transient Voltage Suppresser瞬态电压抑制器)是普遍使用的一种新型高效电路保护器件，它具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的浪涌吸收能力。当它的两端经受瞬间的高能量冲击时，TVS能以极高的速度把两端间的阻抗值由高阻抗变为低阻抗，以吸收一个瞬间大电流，从而把它的两端电压钳制在一个预定的数值上，从而保护后面的电路元件不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击。正因为如此，TVS可用于保护设备或电路免受静电、电感性负载切换时产生的瞬变电压，以及感应雷所产生的过电压。陕西ESD保护器件有哪些ESD 保护器件选型要注意钳位电压 VC；
ESD保护器件在操作原理和原材料方面各自不同，以实现必要的功能。EDS保护器件大致分为陶瓷基类型和使用硅或聚合物作为原料的半导体基类型。陶瓷基类型则分为两种，即采用电压依赖型可变电阻器的压敏电阻型，和电极间放电的抑制型，半导体基类型则包括齐纳(恒定电压)二极管类型与场效应晶体管方法。半导体基类型的ESD保护器件使用称为齐纳二极管方法的机制。齐纳二极管由P型半导体(电子不足的条件)和N型半导体(电子过剩的条件)的组合构成。当施加超过击穿电压的过电压(ESD)时，硅基ESD保护器件利用该二极管的技术将电流传递到地。即使应用范围于日常生活中使用的电子和电气设备，使用ESD保护器件的地方也非常多样化。此外，采用适当的ESD对策可以使设备性能稳定。
ESD保护器件的主要性能参数有哪些？电容(Capacitance)，在给定电压、频率条件下测得的值，此值越小，对保护电路的信号传输影响越小。比如硅半导体TVS管的结电容(pF级)，压敏电阻的寄生电容(nF级)。响应时间(ResponseTime)指ESD器件对输入的大电压钳制到预定电压的时间。一般地，TVS管的响应时间是ns级，压敏电阻是μs级，此时间越小，更能有效的保护电路中元器件。寿命(ESDPulseWithstanding)，TVS技术利用的是半导体的钳位原理，在经受瞬时高压时，会立即将能量释放出去，基本上没有寿命限制；而压敏电阻采用的是物理吸收原理，因此每经过一次ESD事件，材料就会受到一定的物理损伤，形成无法恢复的漏电通道，会随着使用次数的增多性能下降，存在寿命限制。ESD保护器件在操作原理和原材料方面各自不同，以实现必要的功能。
压敏电阻是一种限压型ESD保护器件。利用压敏电阻的非线性特性，当过电压出现在压敏电阻的两极间，压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值，从而实现对后级电路的保护。压敏电阻的主要参数有：压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等。压敏电阻的响应时间为ns级，比空气放电管快，比TVS管稍慢一些，一般情况下用于电子电路的过电压保护其响应速度可以满足要求。压敏电阻主要可用于直流电源、交流电源、低频信号线路、带馈电的天馈线路。压敏电阻的失效模式主要是短路，当通过的过电流太大时，也可能造成阀片被炸裂而开路。ESD保护元件的作用是转移来自敏感元件的ESD应力；陕西ESD保护器件有哪些
ESD保护器件本身必须具有ESD抑制能力；陕西ESD保护器件有哪些
如何选择ESD保护器件？要选择适当的ESD保护器件(通常是TVS）构建ESD电路，应考虑较大工作电压、寄生电容(Cin）、引脚配置、钳制电压、封装类型和ESD抵抗力等。确定ESD保护器件工作电压之前，需要了解保护电路的工作电压。在选择ESD保护器件工作电压后，可以决定其寄生电容(Cin）。Cin从小于0.5pF到超过数百pF不等，影响产品速度。为了保护高速接口信号，Cin需要小；而对于电源线，Cin将相对不受限制。还应权衡Cin失真对高速接口信号的影响。眼图通常用于检查信号是否受到Cin的影响或衰变。此外，还需要确定单向或双向特性、ESD保护器件的钳制电压，ESD器件的另一个重要参数是封装。不同终端产品可选择不同的封装ESD器件ESD保护器件本身必须具有ESD抑制能力，至少该器件必须通过IEC 61000-4-2 level 4，即在接触模式下达到±8kV，在空气模式下达到±15kV。陕西ESD保护器件有哪些
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