武汉ESD保护器件费用

ESD保护器件分类：ESD（Electro-Static discharge）器件又称静电保护器件，常见的ESD保护器件主要有压敏电阻、硅材料的TVS二极管以及陶瓷材料的A-TVS等。压敏电阻是一种限压型保护器件，在遭受ESD时，压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值，从而实现对后级电路的保护。但是其ESD性能会随使用次数增多而变差，结构简单，材料便宜，成本极低。硅材料的TVS二极管，是利用PN结反向击穿雪崩的原理，在经历ESD事件时，瞬间将能量传递出去，对器件本身并无影响。但是受工艺影响，成本较高。特别是高速数据线上用的TVS，需要的寄生容值越低，成本越高。A-TVS，采用电极间放电的原理，能承受10000次以上ESD测试。集成电容很低，可以做到0.05Pf，所以特别适合应用在高速数据线上，而且成本也较低，只要0.001～0.002USD，就能达到ESD保护的效果。ESD保护器件能抑制静电荷的积累和静电压的产生；武汉ESD保护器件费用

ESD保护器件具有什么特点？ESD静电保护器件特点特性：低电容，至低可达到零点几皮法；快速响应时间：通常小于1.0PS；体积小，小型化器件，节约PCB空间；工作电压可以根据IC的工作电压设计，比如：2.8V、3.3V、5V、12V、15V等等；灵活度高，可以根据应用需求设计电容、封装形式、浪涌承受能力等参数；封装形式多样化。ESD保护对高密度、小型化和具有复杂功能的电子设备而言具有重要意义。在ESD保护领域，目前主流的是TVS管、压敏电阻、自恢复保险丝等。武汉ESD保护器件费用确定ESD保护器件工作电压之前，需要了解保护电路的工作电压。

如何选择ESD保护器件？要选择适当的ESD保护器件(通常是TVS）构建ESD电路，应考虑较大工作电压、寄生电容(Cin）、引脚配置、钳制电压、封装类型和ESD抵抗力等。确定ESD保护器件工作电压之前，需要了解保护电路的工作电压。在选择ESD保护器件工作电压后，可以决定其寄生电容(Cin）。Cin从小于0.5pF到超过数百pF不等，影响产品速度。为了保护高速接口信号，Cin需要小；而对于电源线，Cin将相对不受限制。还应权衡Cin失真对高速接口信号的影响。眼图通常用于检查信号是否受到Cin的影响或衰变。此外，还需要确定单向或双向特性、ESD保护器件的钳制电压，ESD器件的另一个重要参数是封装。不同终端产品可选择不同的封装ESD器件ESD保护器件本身必须具有ESD抑制能力，至少该器件必须通过IEC 61000-4-2 level 4，即在接触模式下达到±8kV，在空气模式下达到±15kV。

目前业内常见的板级ESD保护器件主要有以下三种：一、多层压敏电阻(MLV)：这类基于氧化锌的器件可提供ESD保护和低级别的电涌保护。它们的小形状因子(尺寸已下降到0402和0201)使得它们非常适合于便携式应用(如手机和数码相机等)。二、聚合物ESD抑制器(PGB)：设计用于产生较小的寄生电容值(<0.2pF)。这一特性允许它们用于高速数字和射频电路，而不会引起任何信号衰减。三、硅保护阵列(SPA)：这类分立和多通道器件设计用于保护数据线和I/O线免受ESD和低级别瞬态浪涌的伤害。它的关键特性是非常低的钳位电压，这允许它们保护较敏感的电路。ESD保护器件的重要参数是封装。

ESD（Electrostatic Discharge Protection Devices），静电保护器件，亦称瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），是由多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局设计成具有特定功能的单路或多路ESD保护器件。ESD静电保护二极管响应速度快（小于0.5ns）、低电容、低导通电压、高集成度、小体积、易安装，可以同时实现多条数据线保护，是业内理想的高频数据保护器件。ESD静电保护二极管，主要应用于各类通信接口的静电保护，同时，ESD静电保护元器件封装多样化，电路设计工程师可以根据电路板布局及接口类型选择不同封装的ESD静电保护二极管。 具体选用什么型号的ESD静电保护二极管，还需要技术的指导！EDS保护器件大致分为陶瓷基类型和使用硅或聚合物作为原料的半导体基类型。武汉ESD保护器件费用

ESD保护器件可以安全、迅速、有效的消除已产生的静电荷。武汉ESD保护器件费用

常用的ESD保护器件主要有Diode、Resistor、P/NMOS、BJT、SCR等，因其具有雪崩击穿、雪崩与注入等特性，能够瞬间进入低阻态，故具有良好的电流泄放能力，可以作为ESD防护器件。在ESD设计中，Diode是一种常见的器件。在VDD相对于VSS发生Positive ESD Pulse时，Diode发生雪崩击穿并释放ESD电流，从而保护内部电路不受ESD影响。但由于二极管完全通过雪崩击穿释放ESD电流，在大电流下器件的功耗很大，因此这种模式下二极管的抗ESD能力往往很低，器件的微分电阻也较大；而在VDD相对于VSS发生Negative ESD Pulse时，该Diode为正偏并释放ESD电流，由于二极管的正向导通电压很小，此模式下器件的功耗很小，因此其抗ESD能力非常强。武汉ESD保护器件费用

上海光宇睿芯微电子有限公司坐落在张衡路198弄10号楼502A，是一家专业的上海光宇睿芯微电子有限公司座落于上海浦东张江高科技园区内，是专业从事半导体过电压保护器件、功率MOSFT页件、集成电照的设计与销售的高新技术企业，是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路设计的供应商之一。公司产品品种多，覆盖范围广，已广泛应用于通讯系统的接口保护、手机接口保护、掌上数码产品接口保护、电源系统的过压保护、锂电池的BMS和电机驱动。 公司。目前我公司在职员工以90后为主，是一个有活力有能力有创新精神的团队。诚实、守信是对企业的经营要求，也是我们做人的基本准则。公司致力于打造高品质的MOSFET场效应管，ESD保护器件，稳压管价格，传感器。公司凭着雄厚的技术力量、饱满的工作态度、扎实的工作作风、良好的职业道德，树立了良好的MOSFET场效应管，ESD保护器件，稳压管价格，传感器形象，赢得了社会各界的信任和认可。