ESD TVS器件采用的技术：聚合物浪涌抑制器，聚合物浪涌抑制器件为消弧器件，且总是双向保护器件。它们的电容很低，对高速应用具有吸引力。但是它们的短处是导通电压高、导通阻抗性能相对较差，遭受多次应力时易于性能下降。TVS二极管，如今大多数的二极管都是采用硅制造的固态器件。它们为双端器件，很容易让一个方向上的电流流过，但在相反方向上，它们呈现高阻抗，直到两端电压达到击穿电压。二极管本质上为单向器件，保护方式为电压箝位。二极管的特性取决于N区与P区的掺杂程度，这两个区离结点的距离远近不同。调节掺杂程度能构建反向偏置击穿电压在几百伏到单几伏之间的二极管。设计有明确定义的反向偏置击穿电压的二极管，通常称作齐纳二极管。ESD保护器件具有雪崩击穿、雪崩与注入等特性。北京大型ESD保护器件
ESD保护器件防护原理及选型：当系统没有干扰，正常工作时，ESD器件可以忽略，几乎不起作用。当外部接口电压超过ESD器件的击穿电压（VBR）,ESD器件开始起作用，并将电流分流到地。实际ESD器件的工作电压（VRWM）与击穿电压（VBR）的区别，选择ESD器件应该选择系统工作电压小于ESD器件的工作电压（VRWM），例如系统是0~5V，那么我们应该选择工作电压（VRWM）大于5V的TVS。单向ESD器件和双向ESD器件，双向ESD器件可以通过正负击穿电压（VBR）的信号，而单向ESD器件只可以通过正击穿电压（VBR）的信号，如果通过负的就会造成ESD器件击穿。双向ESD器件和单向ESD器件的特点，单向ESD器件对于负压的保护更好。北京大型ESD保护器件国际上习惯将用于静电防护的器材统称为ESD。
半导体基类型的ESD保护器件使用称为齐纳二极管方法的机制。齐纳二极管由P型半导体(电子不足的条件)和N型半导体(电子过剩的条件)的组合构成。当施加超过击穿电压的过电压(ESD)时，硅基ESD保护器件利用该二极管的技术将电流传递到地。即使应用范围只限于日常生活中使用的电子和电气设备，使用ESD保护器件的地方也非常多样化。ESD保护器件在出厂时都需要通过测试，其测试规范包含在标准IEC61000-4-2之中。在测试时会在电路中包括150pF电容器和330Ω的内部电阻，并且通过以2kV、4kV、6kV和8kV的顺序放电四个ESD电压，来评估产品的击穿电阻，以了解这些器件的情况。
ESD静电保护器件（TVS）的特点：1. ESD-TVS是一种钳位型过压保护器件，用于静电防护及一些较低浪涌的防护；2. ESD-TVS电压根据被保护IC 的工作电压设计，如2.5V、2.8V、3.3V、5V、8V、12V、15V、24V、36V等；3. 电容低，目前可做到0.17pF，满足10GMbps高速应用，不影响数据通信质量；4. 封装小型化，封装形式多样化；ESD保护二极管选型指南：1）ESD静电二极管的截止电压高于该电路的至高工作电压;2）峰值电流IPP和至大箝位电压VC的选择应基于线路上可能出现的至大浪涌电流。需要注意的是，此时VC应小于被保护芯片所能承受的至大峰值电压;3）用于信号传输电路保护时，要注意传输信号的频率或传输速率;4）根据电路设计布局和保护线路的数量，选择合适的封装。ESD保护元件应具有低泄漏和低电容特性，不会降低电路功能；
ESD保护器件的作用有哪些？ESD保护器件的作用：ESD保护器件在出厂时都需要通过测试，其测试规范包含在标准IEC61000-4-2之中。在测试时会在电路中包括150pF电容器和330Ω的内部电阻，并且通过以2kV、4kV、6kV和8kV的顺序放电四个ESD电压，来评估产品的击穿电阻，以了解这些器件的情况。ESD保护器件和对策组件的主要功能是使进入器件的ESD能够逃逸到地面，如果没有保护装置，则具有几千伏电压的ESD将直接应用于内部IC，这将对芯片带来严重的影响。ESD保护器件本身必须具有ESD抑制能力；北京大型ESD保护器件
ESD静电保护二极管响应速度快（小于0.5ns）；北京大型ESD保护器件
ESD保护器件的主要性能参数有哪些？电容(Capacitance)，在给定电压、频率条件下测得的值，此值越小，对保护电路的信号传输影响越小。比如硅半导体TVS管的结电容(pF级)，压敏电阻的寄生电容(nF级)。响应时间(ResponseTime)指ESD器件对输入的大电压钳制到预定电压的时间。一般地，TVS管的响应时间是ns级，压敏电阻是μs级，此时间越小，更能有效的保护电路中元器件。寿命(ESDPulseWithstanding)，TVS技术利用的是半导体的钳位原理，在经受瞬时高压时，会立即将能量释放出去，基本上没有寿命限制；而压敏电阻采用的是物理吸收原理，因此每经过一次ESD事件，材料就会受到一定的物理损伤，形成无法恢复的漏电通道，会随着使用次数的增多性能下降，存在寿命限制。北京大型ESD保护器件
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