半导体基类型的ESD保护器件使用称为齐纳二极管方法的机制。齐纳二极管由P型半导体(电子不足的条件)和N型半导体(电子过剩的条件)的组合构成。当施加超过击穿电压的过电压(ESD)时，硅基ESD保护器件利用该二极管的技术将电流传递到地。即使应用范围只限于日常生活中使用的电子和电气设备，使用ESD保护器件的地方也非常多样化。ESD保护器件在出厂时都需要通过测试，其测试规范包含在标准IEC61000-4-2之中。在测试时会在电路中包括150pF电容器和330Ω的内部电阻，并且通过以2kV、4kV、6kV和8kV的顺序放电四个ESD电压，来评估产品的击穿电阻，以了解这些器件的情况。ESD保护器件低导通电压；武汉ESD保护器件多少钱
芯片级保护器件：正向导通二极管具有很强的泄放能力，是重要的保护器件，在射频、数字端口保护中常用。但是反向二极管电流能力弱，若作为ESD保护，需要较大的芯片面积。三极管和GGNMOS在反偏结击穿后，整体器件进入电导调制的滞回状态，形成S形滞回曲线，泄放电流。SCR是重要的ESD保护器件，通过PNPN结构形成反馈环路，这是典型的特性曲线，具有Vt1高，VH低，开启速度慢的特点。注意对于SCR来说，反向特性虽然也是一个二极管，但是串联了Rpsub和RNW，会影响导通电阻，直接影响钳位特性和导通电阻，所以通常并联一个Dp。武汉ESD保护器件多少钱预计从2020年至2024年，全球ESD保护器件市场复合年均增长率为5%。
静电保护器件（ESD） 是由一个或多个 TVS 晶粒采用不同的电路拓扑制成具有特定功能的多路或单路 ESD 保护器件。ESD反向并联于电路中，当电路正常工作时，ESD处于截止状态（高阻态），不影响电路正常工作。当电路出现异常过电压并达到 ESD 的击穿电压时，ESD迅速由高阻态变为低阻态，泄放由异常过电压导致的瞬时过电流到地，同时把异常过电压钳制在一个安全水平之内，从而保护后级电路免遭异常过电压的损坏。选型注意事项：工作电压 VRWM：ESD管的截止电压应大于线路上较高工作电压或信号电平电压。如果截止电压选择过低，一方面会影响电路正常工作，另一方面会影响 ESD的使用寿命。峰值脉冲电流 IPP： 当ESD单独使用时，要根据线路上可能出现的至大浪涌电流来选择合适的型号。相同电压的 ESD，功率越大 IPP 也越大。功率越大的 ESD 对电路的保护效果也越好。
ESD保护器件的主要性能参数：1、较大工作电压(MaxWorkingVoltage)，允许长期连续施加在ESD保护器件两端的电压(有效值)，在此工作状态下ESD器件不导通，保持高阻状态，反向漏电流很小。2、击穿电压(BreakdownVoltage)，ESD器件开始动作(导通)的电压。一般地，TVS管动作电压比压敏电阻低。3、钳位电压(ClampingVoltage)，ESD器件流过峰值电流时，其两端呈现的电压，超过此电压，可能造成ESD永远性损伤。4、漏电流(LeakageCurrent)，在指定的直流电压(一般指不超过工作电压)的作用下面，流过ESD器件的电流。一般地，TVS管的反向漏电流是nA级，压敏电阻漏电流是μA级，此电流越小，对保护电路影响越小。在多重应力作用下ESD保护器件的功能不会下降。
ESD保护器件TVS的ESD保护原理：许多集成电路(IC)都有一些可能比较敏感的输入，这使得它们在输入电压远高于正常值的的情况下(例如在ESD应力作用下)易于受损。正常工作电压与使器件开始受损的电压之间的区域是安全过压区。安全过压区与器件受损区之间有少许交叠，因为如果较大的过压单持续极短时间，那么即使不是在安全过压区，器件可能也可以承受。TVS的任务就是发生ESD事件时，将输入电压维持在安全过压范围之内，而在正常工作时不影响系统性能。TVS器件被放置于邻近ESD事件可能进入系统的位置，旨在限制敏感节点处的电压，并将电流引至不太敏感的节点，如地电平。为实现这个功能，TVS必须在正常工作电压范围内拥有高阻抗,在正常工作电压范围之外拥有低阻抗，这样才能将电流直接从敏感节点引开，并限制瞬态电压。ESD静电保护元器件封装多样化。武汉ESD保护器件多少钱
ESD保护器件一般包括三种：TVS二极管、压敏电阻和聚合物静电抑制器。武汉ESD保护器件多少钱
ESD对IC的损伤主要有两类，即大电流产生局部热量、高电场损伤绝缘层，都会导致电路或者器件功能性能的异常。ESD保护的基本原理就是并联保护器件，以此泄放大电流和钳位高电压，避免对内部电路造成损伤。保护的原理已经非常清楚，那么在具体实施过程中，一种方式是减少静电的产生，例如静电手套、指套、离子风扇等中和静电，这样就减少了芯片受到的ESD威胁；另一种就是让自身变得更加强大，既然无法避免强大静电的产生，那么尽可能增强自身的抗ESD冲击能力，这可以通过系统级和ESD保护器件来实现。武汉ESD保护器件多少钱
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