稳压管也是一种晶体二极管，它是利用PN结的击穿区具有稳定电压的特性来工作的。稳压管在稳压设备和一些电子电路中获得普遍的应用。我们把这种类型的二极管称为稳压管，以区别用在整流、检波和其他单向导电场合的二...

ESD保护器件的使用需要注意什么？ESD保护器件是经常见到的，为 USB 4™ 选择 ESD 保护器件：新的 USB 4™ 规范引入了一些更改，会影响 ESD 保护器件的选择。显然，ESD 保护需要在...

稳压管用于过压保护，当电路正常时，稳压管两端的电压低于稳压管的稳压值，因此稳压管相当于开路不存在；当电路出现异常，电源端的电压异常升高时，稳压管工作于钳位或击穿状态，保护后级的负载。这一类应用，需要工...

稳压二极管稳定电压：在稳定电流（Iz）、温度系数（Ctv）、动态电阻（Rz）、耗散功率（Pz）这些二极管参数中，稳定电压（VZ, Zener Voltage Range）是表征稳压二极管的特征参数。稳...

ESD保护器件的主要性能参数：1、较大工作电压(MaxWorkingVoltage)，允许长期连续施加在ESD保护器件两端的电压(有效值)，在此工作状态下ESD器件不导通，保持高阻状态，反向漏电流很小...

制程变异更难掌控现代的半导体制程工序复杂而繁多，任何一道制程都有可能造成集成电路芯片上的元件产生些微变异。当MOSFET等元件越做越小，这些变异所占的比例就可能大幅提升，进而影响电路设计者所预期的效能...

ESD保护器件具有什么特点？ESD静电保护器件特点特性：低电容，至低可达到零点几皮法；快速响应时间：通常小于1.0PS；体积小，小型化器件，节约PCB空间；工作电压可以根据IC的工作电压设计，比如：2...

ESD TVS器件采用的技术：聚合物浪涌抑制器，聚合物浪涌抑制器件为消弧器件，且总是双向保护器件。它们的电容很低，对高速应用具有吸引力。但是它们的短处是导通电压高、导通阻抗性能相对较差，遭受多次应力时...

ESD（Electrostatic Discharge Protection Devices），静电保护器件，亦称瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），是由多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局...

制程变异更难掌控现代的半导体制程工序复杂而繁多，任何一道制程都有可能造成集成电路芯片上的元件产生些微变异。当MOSFET等元件越做越小，这些变异所占的比例就可能大幅提升，进而影响电路设计者所预期的效能...

MOSFET里的氧化层位于其通道上方，依照其操作电压的不同，这层氧化物的厚度 有数十至数百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（silicon dioxide,SiO2），不过有些新的进阶制程...

MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化...