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上海家用稳压管
发布时间：2022.06.25
稳压管的稳压原理如下：当负载电阻不变，输入电压Ui增大（或者输入电压不变，负载电阻RL增加）时，输出电压Uo将上升，使稳压管D1的反向电压会略有增加，随之流过稳压管D1的电流增加，于是流过电阻R1的电...
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宁波稳压管批发
发布时间：2022.06.23
稳压管的检测：正、负电极的判别：从外形上看，金属封装稳压管管体的正极一端为平面形，负极一端为半圆面形。塑封稳压管管体上印有彩色标记的一端为负极，另一端为正极。对标志不清楚的稳压管，也可以用万用表判别其...
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山东小型防雷器件
发布时间：2022.06.20
防雷击浪涌防护中常用到的保护器件有：开关型防雷限压保护器件（陶瓷气体放电管GDT、半导体放电管TSS等）、钳位型防雷限压器件（压敏电阻MOV、瞬态抑制TVS二极管等）、过流保护器件（自恢复保险丝PPT...
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陕西ESD保护器件现货供应
发布时间：2022.06.14
ESD保护器件应该如何选型？ESD保护器件选型步骤：1.计算接口信号幅值的范围来确定ESD器件的工作电压；2.根据信号类型决定使用单向或者双向ESD器件;3.根据信号速率决定该接口能承受的至大寄生电容...
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杭州MOSFET订购
发布时间：2022.06.10
场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而双极结型晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。因此被称之为双极型器件。4、场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以...
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常见防雷器件订购
发布时间：2022.06.07
比较常用的开关型防雷器件是半导体放电管。半导体放电管普遍应用在网络通讯及消费类电子产品、高速数据传输设备（T1/E1、XDSL、ISDN、HDSL、CATV、SLIC等）上。在选择半导体放电管时主要应...
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广东ESD保护器件售价
发布时间：2022.06.05
为了保护一颗芯片，板级采用了多种类型的保护器件来实现，这就是大批量、高可靠性产品需要的ESD保护设计。ESD保护器件底部连接器设计普遍应用在移动消费类产品上，由于是直流回路，可选用高电容器件。因此端口...
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成都防雷器件哪家好
发布时间：2022.05.31
压敏电阻可用于仪器设备的电源入口处进行防雷、防浪涌设计，在此类用途中，通常将压敏电阻与气体放电管、熔断器、热敏电阻等器件一起作用，相互结合来更好的发挥作用。压敏电阻具有较大的寄生电容，因此会产生客观的...
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电力MOSFET促销价格
发布时间：2022.05.26
上海光宇睿芯微电子有限公司座落于上海浦东张江高科技园区内，是专业从事半导体过电压保护器件、功率MOSFET器件、集成电路的设计与销售的****，是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路设...
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厦门P-CHANNELMOSFET设计
发布时间：2022.05.18
场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而双极结型晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。因此被称之为双极型器件。4、场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以...
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张家港高压P管MOSFET定制
发布时间：2022.05.08
MOSFET在生活中是比较常见的，MOSFET的相关介绍说明：MOSFET在国内的命名法，第1种命名方法是使用“中国半导体器件型号命名法”的第3、第4和第5部分来命名，其中的第3部分用字母CS表示场效...
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苏州高压P管MOSFET厂家
发布时间：2022.05.05
MOSFET需求增长源于物联网、3C产品、云端运算及服务器等的快速发展。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，简称包括N...
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南通P-CHANNELMOSFET技术参数
发布时间：2022.05.03
功率MOSFET的工作原理：截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流...
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低压MOSFET技术参数
发布时间：2022.05.01
MOSFET开关基础知识：一般来讲,三极管是电流驱动的,MOSFET是电压驱动的，这样也可以节省系统功耗吧,在做开关管时有一个必须注意的事项就是输入和输入两端间的管压降问题,比如一个5V的电源,经过管...
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杭州P-CHANNELMOSFET型号
发布时间：2022.05.01
MOSFET在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用...
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南通DUAL N-CHANNELMOSFET厂家
发布时间：2022.04.29
MOS电容的特性决定了MOSFET的操作特性，但是一个完整的MOSFET结构还需要一个提供多数载流子（majority carrier）的源极以及接受这些多数载流子的漏极。当一个电压施加在MOS电容的...
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太仓低压N+NMOSFET封装
发布时间：2022.04.23
DMOSDMOS是双重扩散MOSFET（double-DiffusedMOSFET）的缩写，它主要用于高压，属于高压MOS管范畴。以MOSFET实现模拟开关MOSFET在导通时的通道电阻低，而截止时的...
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南通DUAL N-CHANNELMOSFET晶体管
发布时间：2022.04.23
MOSFET的重点参数：金属—氧化层—半导体电容。金属—氧化层—半导体结构MOSFET在结构上以一个金属—氧化层—半导体的电容为重点，氧化层的材料多半是二氧化硅，其下是作为基极的硅，而其上则是作为栅极...