大中小电力半导体可控硅普通晶闸管模块MTC25A2015-06-21共同成长8...展开全文一、产品特点:1、芯片与底板电气绝缘,2500V交流电压;2、国际标准封装;3、真空+充氢保护焊接技术;4、压接结构,优良的温度特性和功率循环能力;5、输入-输出端之间隔离耐压≥2500VAC;6、200A以下模块皆为强迫风冷,300A以上模块,既可选用风冷,也可选用水冷;7、安装简单,使用维修方便,体积小,重量轻。二、型号说明:三、技术参数:型号通态平均电流反向断态重复峰值电压通态峰值电压通态峰值电流正反向重复峰值电流触发电流触发电压维持电流断态电压临界上升率通态电流临界上升率比较高额定结温绝缘电压重量It(AV)VdrmVrrmVtmItmIdrmIrrmIgtIhdv/dtdi/dtTjmVisoWeightTypeAVVAmAmAVmAV/μsA/μs℃V(AC)gMTx25A25400-500120MTx40A41252500MTx55A55400-2500四、外形尺寸及电路联结形式:五、产品应用:1、交直流电机控制;2、各种整流电源;3、工业加热控制;4、调光;5、无触点开关;6、电机软起动;7、静止无功补尝;8、电焊机;9、变频器;10、UPS电源;11、电池充放电。说明:,Lgt,Vgt,Ih,Vtm,Viso均为25下的调试值,表中其它参数皆jm下的测试值;,在50HZ频率下,I2t(10ms)=(A2S)。正高电气经营理念:前列的设备、前列的产品、前列的服务。东营高压晶闸管模块品牌
在快速无功补偿和谐波滤波装置中,要用晶闸管投切电容器TSC,。执行元件晶闸管根据应用场合的不同,有饼式的、模块的和双向可控硅的不同结构型式。针对不同的主回路和不同的晶闸管型式,触发电路也不同。TSC要求在晶闸管电压过零点触发,确定晶闸管电压过零点的方法有两种,一种是从电网电压取得同步信号,另一种是从晶闸管的阳极和阴极取得过零信号。晶闸管投切电容器的原理晶闸管投切电容器组的关键技术是必须做到投切时无电流冲击。晶闸管投切电容器组的原理如图1所示。图1晶闸管投切电容器组的原理可控硅晶闸管模块产品优势特点1.电压过零触发,电流过零断开,无冲击电流;2.光电隔离,抗干扰能力强,响应时间<15ms;3.德国经典触发及保护电路,全正弦波切换,运行安全无谐波;4.特有**散热片,无轴流风机,主动散热,运行无噪声,组件免维护,使用寿命长;5.内置过温(85℃)保护;6.三色LED信号灯分别显示开关通电状态、运行状态、故障状态;7.兼容性强,可与全球各种规格无功补偿控制器配套;8.导通压降低,开关损耗小,降低用户能耗。东营高压晶闸管模块品牌正高电气竭诚为您服务,期待与您的合作,欢迎大家前来!
500Vdc)比较大容抗10pf使用温度范围-30℃~+75℃电网频率47-63Hz㈥不同电流等级的固体继电器的外形㈦LSR的输入驱动电路在逻辑电路驱动时应尽可能采用低电平输出进行驱动,以保证有足够的带负载能力和尽可能低的零电平。下图为正确的灌电流驱动的电路图(一般适合于D3、D2型):D1型(4-8Vdc)通常与单相或三相LSR移相触发器配合使用。A3型(90-430Vac)为交流控制交流型,在90-430Vac极宽的范围内均能可靠触发继电器导通,且输入与输出没有相位要求:㈧LSR过压的保护:除LSR内部本身有RC吸收回路保护外,还可以采取并联金属氧化物压敏电阻(MOV),MOV面积大小决定吸收功率,MOV的厚度决定保护电压值。一般220V系列LSR可选取500V-600V的压敏电阻,380V系列SSR可选取800V-900V的压敏电阻,480V系列SSR可选取1000V-1100V的压敏电阻。㈨LSR的功率扩展:本公司生产的2A、8A无RC吸收回路的LSR可用于任何大电流等级的可控硅触发,功率扩展后仍具有过零特性或随机特性。功率扩展LSR的型号为:LSR-3P02E(D3/D2/D1/A3),LSR-3P08E(D3/D2/D1/A3)。
红表笔接K极时,电阻呈低阻值,对其它情况电阻值均为无穷大。由此可迅速判定G、K极,剩下的就是A极。2.检查触发能力如图2(a)所示,首先将表Ⅰ的黑表笔接A极,红表笔接K极,电阻为无穷大;然后用黑表笔尖也同时接触G极,加上正向触发信号,表针向右偏转到低阻值即表明GTO已经导通;脱开G极,只要GTO维持通态,就说明被测管具有触发能力。3.检查关断能力现采用双表法检查GTO的关断能力,如图2(b)所示,表Ⅰ的档位及接法保持不变。将表Ⅱ拨于R×10档,红表笔接G极,黑表笔接K极,施以负向触发信号,如果表Ⅰ的指针向左摆到无穷大位置,证明GTO具有关断能力。4.估测关断增益βoff进行到第3步时,先不接入表Ⅱ,记下在GTO导通时表Ⅰ的正向偏转格数n1;再接上表Ⅱ强迫GTO关断,记下表Ⅱ的正向偏转格数n2。根据读取电流法按下式估算关断增益:βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1档的电流比例系数;K2—表Ⅱ在R×10档的电流比例系数。βoff≈10×n1/n2此式的优点是。不需要具体计算IAT、IG之值,只要读出二者所对应的表针正向偏转格数,即可迅速估测关断增益值。晶体闸流管注意事项编辑(1)在检查大功率GTO器件时,建议在R×1档外边串联一节′。正高电气多方位满足不同层次的消费需求。
由于晶闸管在导通期间,载流子充满元件内部,所以元件在关断过程中,正向电压下降到零时,内部仍残存着载流子。这些积蓄的载流子在反向电压作用下瞬时出现较大的反向电流,使积蓄载流子迅速消失,这时反向电流消失的极快,即di/dt极大。因此即使和元件串连的线路电感L很小,电感产生的感应电势L(di/dt)值仍很大,这个电势和电源电压串联,反向加在已恢复阻断的元件上,可能导致晶闸管的反向击穿。这种由于晶闸管关断引起的过电压,称为关断过电压,其数值可达工作电压峰值的5~6倍,所以必须采取措施。阻容吸收电路中电容器把过电压的电磁能量变成静电能量存贮,电阻防止电容和电感产生谐振、限制晶闸管开通损耗和电流上升率。这种吸收回路能晶闸管由导通到截止时产生的过电压,有效避免晶闸管被击穿。阻容吸收电路安装位置要尽量靠近模块主端子,即引线要短。比较好采用无感电阻,以取得较好的保护效果。各型号模块对应的电阻和电容值根据表10选取。(2)压敏电阻吸收过电压压敏电阻能够吸收由于雷击等原因产生能量较大、持续时间较长的过电压。压敏电阻标称电压(V1mA),是指压敏电阻流过1mA电流时它两端的电压。压敏电阻的选择,主要考虑额定电压和通流容量。正高电气我们将用稳定的质量,合理的价格,良好的信誉。东营高压晶闸管模块品牌
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电力半导体器件有:全系列功率模块(MTC、MFC、MDC、MDQ、MDS),普通整流管(ZP),快速整流管(ZK),软恢复快速整流管(FRD),旋转整流管(ZX),大功率组合整流元件,普通晶闸管(KP),快速晶闸管(KK),双向晶闸管(KS),逆导晶闸管(KN),可关断晶闸管(GTO),电力晶体管(GTR)发电机旋转励磁整流组件,各种功率单元。这些元件广泛应用于电化学电源,充电电源,电机调速,感应加热及热处理等各种整流、逆变和变频领域。我公司所生产的电力电子器件成功的替代了多种进口器件,实现了自动轧机原器件的国产化;6K、6G、8K、8G电力机车原器件也全部由我公司国产化,使用寿命超过了进口元件。在自动控制方面,我公司成功开发出各种工控板,应用在各种不同的场合,真正形成了控制方式灵活,保护齐全,可靠性高的优势。与模块结合开发了智能模块。广泛应用于不同行业各种领。在散热器方面公司成功开发了,通过努力已进入了国内的输变电行业、机车行业所需的**市场。我公司秉承快速反应、持续改进的工作作风,融入世界的发展战略,致力于提高品牌**度的发展目标,建成国际前列、国内**的功率半导体制造基地。东营高压晶闸管模块品牌
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