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可控硅总经销

来源: 发布时间:2022年06月08日

    采用比较常用的NPN三级管S8050和PNP三极管S8550来设计制作实际的测试电路板(PCB),如图5所示。图6中所标识的T2、T1和G与图5所示的相同,也类似于双向可控硅的T2、T1和G三个接线极。利用该模块电路串入负载接通正或负的直流电源和触发信号来测试,所得结果如图7所示,在正或负触发信号接入前电流表上的指示为0,当正或负触发信号接通并撤离后电流表指示依然保持原来的电流值。该实验表明该电路在正负电源供电情况下能双向触发导通。该模块电路在接通交流电源和脉冲控制信号时,其测验结果如图8所示。示波器探针1接触发信号,探针2接模块电路的两端T1-T2之间的电压。在触发信号为0是,T1-T2之间的电压等于电源电压值,表明该电路没有导通,当触发信号脉冲到来时,T1-T2两端的电压值为0,表明模块电路已经导通。4结束语在详细解读了双向可控硅的内部结构和工作原理的基础之上,设计了一款以7个三极管为主要元器件和电阻电容可以被双向触发的控制电路。利用常用的对管S8050和S8550制作出实验电路验证了该电路的正确性。在今后具体运用过程中可以通过对此电路的相关器件做适当调整来满足具体的需求和设计要求。同时。整流二极管就是利用PN结的这种单向导电特性将交流电流变为直流的一种PN结二极管。可控硅总经销

可控硅有三个极----阳极(A)、阴极(C)和控制极(G),管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构,共有三个PN 结,与只有一个PN结的硅整流二极管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引入,为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。可控硅应用时,只要在控制极加上很小的电流或电压,就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅总经销三相恒压|恒流|恒功率晶闸管功率控制器是移相触发型的晶闸管电力控制器。

KY-ZB3型周波触发器是工业电加热系统中相当有广泛应用的SSR信号处理控制器。具有周期过零式(PWM占空比控制)和周波过零式(CYC变周期控制)两种控制方式。触发器采用锁相环同步电路、自动判别相位。可做为单相调功、三相三控、三相两控过零触发控制。其优越的周波过零控制使负载电流的通断是按正弦波均匀分布的。它提高了调节精度和电源的利用效率以及避免了打表针现象,节电效果也十分明显。主要应用于电阻性负载、温度加热控制单元以及各种工业炉等。

    选用具有温度补偿特性的2CW234系列硅稳压管作为基准源,并选择其稳定电压为6.4V。由特性较好的三端集成稳压器供电,限流电阻采用精密金属膜电阻R(温度系数约为±1×10-5/℃)。为了减小噪声的影响,将稳压管封装在盛油的小容器里,噪声指标将会有明显的改善。电压取样如图2所示。分别将调整管的集-射极电压经电阻分压,并将分压后的射极电压通过一电阻送入比较放大器反相端;在集电极电压的取样电路中串入一稳压管,由该管决定调整管压降大小。此处选3.3V。并将集电极电压减去稳压管稳压值后分压送入比较放大器的同相端。为保证取样精度,应使集-射极采样电阻完全对称,并选取温度特性较好、同一型号的精密金属膜电阻。比较放大器采用集成运放并接成负反馈。令R1=R3,R2=R4;设分压系数n=R2/(R1+R2);集成运算放大器输出为Uo;放大系数为K;调整管集电极电压为UC;调整管发射极电压为UE;A点电压为UA;B点电压为UB;有:当调整管压降增大,UcE上升,使Uo增大,即触发器的控制电压Ub增大,而集成触发器KJ785是负极型的:控制电压增大,导通角减小。因此,触发脉冲后移,整流输出减小。可控硅整流担任***步的稳压工作。隔离开关应能同时提供满足负载的电流和蓄电池的再充电电流,并能承受较大的短路电流。

控硅,是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中,多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。 可控硅调整器具有软启动功能,减少对电网的冲击干扰,使主电路更加安全可靠。可控硅总经销

可控硅调整器能与国内外各种控制仪表、微机的输出信号直接接口。可控硅总经销

    稳压二极管的负极连接电阻R4的另一端、光耦OC的脚4、NPN三极管T1的集电极、单结晶体管T2的发射极b2、单向可控硅SCR1的A极、单向可控硅SCR2的K极以及电源输出端1,所述光耦OC的脚1连接输入控制端的正极,光耦OC的脚2经由电阻R5连接输入控制端的负极,光耦OC的脚3连接NPN三极管T1的基极,NPN三极管T1的发射极连接电阻R6的一端,电阻R6的另一端连接电容C4的另一端以及单结晶体管T2的发射极b1,单结晶体管T2的发射极b1连接变压器B1的输入端1,变压器B1的输入端2连接变压器B2输入端1,变压器B1的输出端1连接电源输出端1,变压器B2的输出端2连接电源输出端2,所述单向可控硅SCR1的G极连接变压器B2的输出端1,所述单向可控硅SCR2的G极连接变压器B1的输出端2,所述单向可控硅SCR1的A极和K极分别连接电源输出端1和电源输出端2,所述单向可控硅SCR2的A极和K极分别连接电源输出端2和电源输出端1。作为推荐,所述电源输出端1和电源输出端2分别连接电容C的一端和电阻R的一端,电容C的另一端和电阻R的另一端连接。本实用新型与现有技术相比,具有以下优点和效果:单向可控硅分别通过**的光耦进行隔离,提高了单向可控硅的耐受性能,实现负载电压从零伏到电网全电压的无级可调。可控硅总经销

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