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南通可控硅

来源: 发布时间:2022年06月06日

    它可***的应用于工业各领域的电压电流调节,适用于电阻性负载、电感性负载、变压器一次侧及各种整流装置等,主要应用于以下负载:*以镍铬、铁铬铝、远红外发热元件及硅钼棒、硅碳棒等为加热元件的温度控制。*盐浴炉、工频感应炉、淬火炉、熔融玻璃的温度加热控制。*白金漏板、石墨、钼丝、钼棒、不锈钢等特殊负载的控制。*整流变压器、调功机(纯电感线圈)、电炉变压器一次侧、直流电机控制。*单相电焊机控制、高压静电除尘设备、植绒设备等各种调压场合*电压、电流、功率、灯光等无级平滑调节。一.技术规格?功率元件:进口单向反并联可控硅(晶闸管)模块?负载电源:单相220、380VAC±10%50HZ?电流容量:25A50A、100A150A200A250A350AAC?控制板电源与功耗:220或380VAC±10%50HZ通用,功耗:2W比较大?风扇电源(根据型号配备):电压:220VAC电流:A以下?自动控制输入:4~20mADC输入,接收阻抗120Ω;(默认输入信号)0~5VDC输入,输入电阻>20KΩ(定货时需说明)0~10VDC输入,输入电阻>20KΩ(订货声明)?LED状态显示LED名称功能状态颜色现象含义POW电源指示1红色亮电源正常TH温度指示2红色亮装置温度异常IH过流指示3红色亮过电流?控制方式:调相控制:连续调压。整流器***用于各种形式的整流电源中。南通可控硅

    1.判定栅极G将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大,并且交换表笔后仍为无穷大,则证明此脚为G极,因为它和另外两个管脚是绝缘的。2.判定源极S、漏极D由图1可见,在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极。3.测量漏-源通态电阻RDS(on)将G-S极短路,选择万用表的R×1档,黑表笔接S极,红表笔接D极,阻值应为几欧至十几欧。由于测试条件不同,测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=,大于(典型值)。4.检查跨导将万用表置于R×1k(或R×100)档,红表笔接S极,黑表笔接D极,手持螺丝刀去碰触栅极,表针应有明显偏转,偏转愈大,管子的跨导愈高。注意事项:(1)VMOS管亦分N沟道管与P沟道管,但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管,测量时应交换表笔的位置。(2)有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管,本检测方法中的1、2项不再适用。(3)目前市场上还有一种VMOS管功率模块。南通可控硅除了为负载供电外,整流器/充电机应能在10倍于放电时间的时间内,将蓄电池的放电功率恢复到95%。

    由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小,说明管的放大能力较差;表针摆动较大,表明管的放大能力大;若表针不动,说明管是坏的。根据上述方法,我们用万用表的R×100档,测结型场效应管3DJ2F。先将管的G极开路,测得漏源电阻RDS为600Ω,用手捏住G极后,表针向左摆动,指示的电阻RDS为12kΩ,表针摆动的幅度较大,说明该管是好的,并有较大的放大能力。运用这种方法时要说明几点:首先,在测试场效应管用手捏住栅极时,万用表针可能向右摆动(电阻值减小),也可能向左摆动(电阻值增加)。这是由于人体感应的交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同(或者工作在饱和区或者在不饱和区)所致,试验表明,多数管的RDS增大,即表针向左摆动;少数管的RDS减小,使表针向右摆动。但无论表针摆动方向如何,只要表针摆动幅度较大,就说明管有较大的放大能力。第二,此方法对MOS场效应管也适用。但要注意,MOS场效应管的输人电阻高,栅极G允许的感应电压不应过高,所以不要直接用手去捏栅极,必须用于握螺丝刀的绝缘柄,用金属杆去碰触栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极,引起栅极击穿。第三,每次测量完毕。

    本实用新型涉及一种单相交流固态调压器。背景技术:单相交流固态调压器是集同步变压器、相位检测电路、移相触发电路和输出可控硅于一体,当改变控制电压的大小,就可改变输出可控硅的触发相角,即实现单相交流电的调压。根据输出可控硅器件不同分一只双向可控硅的普通型,两只单向可控硅反并联的增强型和一只单向可控硅的半波型等三类。按单相交流负载的额定电压分220V和380V两类。主要用于工业电炉、电热烘箱、灯光照明、变压器原边初级调压、风机水泵、力矩电机等设备中进行调温、调光、调压、调速的控制。现有的单相交流固态调压器自由调节输出负载的能力较差,无法满足电气化设备的发展需求。技术实现要素:本实用新型的目的在于克服现有技术中存在的上述不足,而提供一种结构设计合理,自由调节输出负载的能力较好的单相交流固态调压器。本实用新型解决上述问题所采用的技术方案是:一种单相交流固态调压器,其特征在于:其电路结构如下:整流桥的其中两个脚连接交流电源的两端,整流桥的其余两脚分别连接电阻R4的一端和稳压二极管的正极,稳压二极管的正极连接电容C4的一端和变压器B2输入端2。业界推出的节能灯和电子镇流器**三极管都十分注重对贮存时间的控制。

    2具体电路实现电路结构框图如图1所示。该电路选取单向桥式半控整流电路,降低了成本。大功率或大电流的稳压电源,一般采用L-C滤波电路。但是,大电流的滤波电抗器体积大,重量重,价格也较贵,因此,在该稳压电源的设计中仍采用大电容滤波。线性稳压器部分仍采用串联反馈调整型稳压器原理,构成一个闭环反馈系统。主要包括:调整管,取样电路,基准电压源,误差比较放大器。由于该稳压电源输出电流20A,电流很大,所以,为减小调整管功耗,采用并联形式,在本电源中,调整管用两个大功率三极管并联,使每管流过电流为10A左右。这样,每个管子的功耗不大于40W,减小了调整管功耗。调整管集电极电流为10A左右,因此应采用大功率晶体三极管,选取β=40~50,这样,基极电流应达2×0.3A,即600mA。而一般集成运算放大器输出电流只有几十毫安级,不能让比较放大电路的输出端直接来推动调整管,因此在比较放大电路的输出端与调整管的基极之间,加入推动级,此处选择一个小功率三极管,构成复合管的形式。启动电阻Rc取2k。防振电容C取10μF。在稳压电路中,基准源是整个稳压系统工作的参考,稳压的**终效果取决于基准源的水平。因此,该电源中。电压、电流、功率、灯光(高压钠灯控制必须用稳压功能配套PID控制板)等无级平滑调节。南通可控硅

整流装置也用于提供电焊时所需固定极性的电压。南通可控硅

    新型跟.踪式可控硅直流稳压电源信息时代里,BP机已成为常用的通信工具。目前,我国BP机总台的发射设备都采用进口设备,其输出电压为13.8V,电流为15~20A。进口电源不带可控硅部分,而我国电网波动较大,为此设计了这种低成本稳压电源。该设计在串联反馈调整型稳压电源的基础上加装了可控硅相位控制装置,用调整管两端压降来控制可控硅触发的导通角,维持调整管压降不变,从而设计出跟.踪式大功率直流稳压电源。该稳压电源限制了调整管功耗,实现了大功率。该稳压电源主要由单相半控桥整流滤波、线性稳压器及可控硅相位控制等环节组成,并加装了过流保护、短路保护、过热保护装置及显示部分。在220V电网电压波动±15%情况下,输出电压13.8V,输出电流可达20A。由于采用了可控硅相位控制技术,能将调整管两端压降限制在3V左右,功耗不大于40W,提高了电源效率。当输出电流超过20A时,限流保护可减小输出电流。若输出短路,短路保护输出***信号关断可控硅。调整管温度高于60℃时启动电扇,温度低于40℃时关断电扇,温度高于80℃时关断可控硅。该电源采用集成可控硅触发器,双运算放大器及具有温度补偿的稳压管作基准源,并配有三端稳压器作为辅助电源,实现了高精度。南通可控硅

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