集成电路可以由多个单元定义，并且集成电路可以使用包括多个单元的信息的单元库来设计。在下文中，单元可以是标准单元，单元库可以是标准单元库。在一些示例实施例中，输入数据可以是针对集成电路的行为从抽象形式生成的数据。例如，可以使用标准单元库在寄存器传送级(rtl)中通过合成定义输入数据。例如，输入数据可以是通过对由硬件描述语言(hdl)(诸如，vhsic硬件描述语言(vhdl)或verilog)定义的集成电路进行合成而生成的比特流和/或网表。在一些示例实施例中，输入数据可以是用于对集成电路的布图进行定义的数据。例如，输入数据可以包括用于对实现为半导体材料、金属和绝缘体的结构进行定义的几何信息。例如，由输入数据指示的集成电路的布图可以具有单元以及用于将一个单元连接到其他单元的导线的布图。设置包括多个标准单元的标准单元库(s20)。术语“标准单元”可以表示集成电路的单元，其中，在该集成电路的单元中布图的大小满足预设或指定的规则。标准单元可以包括输入引脚和输出引脚，并且可以处理通过输入引脚接收的信号以通过输出引脚输出信号。例如，标准单元可以是诸如与(and)逻辑门、或(or)逻辑门、或非(nor)逻辑门或反相器的基本单元。电子料回收，请选择上海海谷电子有限公司。陕西电子元件物料回收行情
位线解码器116被配置为基于从控制单元120接收的地址saddr1选择性地向一条或多条位线bl1至bl2提供信号(例如，电压)。而字线解码器118被配置为基于从控制单元120接收的地址saddr2选择性地向一条或多条字线wl1至wl2提供信号(例如，电压)。调节访问装置108被配置为调节电流(提供给相关的工作mtj器件106的信号)，并且由此选择性地对相关的工作mtj器件106提供访问。例如，在写入操作期间，存储器阵列102内的调节访问装置108可以对选择的存储单元内的工作mtj器件提供大于或等于小切换电流(即，足以使存储单元的数据状态改变的电流)电流，而对未选择的存储单元内的工作mtj器件提供小于小切换电流的电流。使用调节访问装置108来选择性地对工作mtj器件106提供访问提供了没有驱动晶体管的存储单元。没有驱动晶体管的存储单元允许存储器阵列102的尺寸减小，从而改进存储器电路100的性能并且减小成本。图2示出了具有调节访问装置的存储器电路200的一些额外实施例的示意图，该调节访问装置包括被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节mtj器件。存储器电路200包括存储器阵列102，存储器阵列102具有以行和列布置的多个存储单元202a,1至202c,3(例如，mram单元)。多个存储单元202a。陕西电子元件物料回收行情电子料回收，请选择上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选，有需要可以联系我司哦！
减法器604经配置以通过从第二电压v2减去电压v1来提供实际电压vout。因此，实际电压vout与电压v1和第二电压v2相关联。图11是根据本公开的一些实施例的图9的分类器电路80的电路图。参考图11，分类器电路80包括一比较器800、一减法器电路802、一分压器804、一加法器电路806、一反相器810、一暂存器812、一乘法器814和一暂存器816。在图11中，符号(i)表示当前的特性；符号(i+1)表示下一次的特性。比较器800具有耦合到实际电压vout(i)的一输入端、耦合到式子(w(i)*vt)表示的电压的另一输入端，以及耦合到一节点n0的一输出端，其中在式子中的w(i)表示神经网络32的权重，以及vt表示预设电压。权重w(i)初是1，并且被称为一预设权重。因此，比较器800的另一输入端初耦合到预设电压vt。比较器800经配置以通过将预设电压vt与实际电压vout进行比较来产生关于不成熟分类的信息。减法器电路802具有耦合到比较器800的一输出端的一输入端和耦合到一参考电压vc(i)的另一输入端，从而从电压v1(i)中减去参考电压vc(i)。因此，减法器电路802向分压器804提供一电压(v1(i)-vc(i))。因此，分压器804提供电压η(v1-vc)，其中η表示学习速率，以及η的范围从大约0到大约1。
1可以包括工作mtj器件106和调节访问装置108，调节访问装置108具有形成在第三互连层406c和第四互连层406d之间的调节mtj器件204和206。第二存储单元202b,1可以根据与关于图9至图11描述的那些类似的步骤形成。图13示出了形成具有存储器电路的集成芯片的方法1300的一些实施例的流程图，该存储器电路包括具有调节访问装置的存储单元(例如，mram单元)，该调节访问装置被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。虽然方法300示出和描述为一系列步骤或事件，但是应该理解，这些步骤或事件的示出的顺序不被解释为限制意义。例如，一些步骤可以以不同的顺序发生和/或与除了此处示出的和/或描述的一些的其它步骤或事件同时发生。此外，可能不是所有示出的步骤对于实施此处描述的一个或多个方面或实施例都是需要的，并且此处描述的一个或多个步骤可以在一个或多个单独的步骤和/或阶段中实施。在步骤1302中，在衬底上方形成互连层。互连层可以形成在衬底上方的ild层内。图9示出了对应于步骤1302的一些实施例的截面图900。在步骤1304中，在互连层的连续上表面正上方形成多个底电极通孔。图10示出了对应于步骤1304的一些实施例的截面图1000。在步骤1306中。电子料回收，请选择上海海谷电子有限公司，有想法的可以来电咨询！
每个系统板具有在双列直插式存储模块之间交错的冷却管。当这些系统板相对地放置在一起时，每个系统板上的双列直插式存储模块由在另一个系统板上的冷却管冷却。相比于之前的方法，这种方法允许更高密度的双列直插式存储模块，同时仍然提供必要的冷却。这种方法也是安静的，并且由此可以靠近办公室员工放置。这种方法也允许容易的维护，而没有与液体浸入式冷却系统相关的溢出。尽管参考双列直插式存储模块描述了不同实施例，应当认识到的是，所公开的技术可以用于冷却任何集成电路或类似的一个或多个系统和系统中的一个或多个元素/部件。图1是系统100的关系图，在该系统中可以实施不同实施例。系统100包括计算部件120，所述计算部件包括处理器104和存储器106。存储器106包括多个双列直插式存储模块组件108。系统100还包括冷却回路。所述冷却回路包括泵110、热交换器112和储液器114。泵110将冷却液体130提供给双列直插式存储模块组件108。由双列直插式存储模块组件108产生的热量被传送给液体，加热液体并且冷却双列直插式存储模块组件108。泵110将被加热的液体132从双列直插式存储模块组件108移除。热交换器112冷却被加热的液体132。储液器114适应液体体积的改变。上海海谷电子有限公司为您提供电子料回收，期待您的光临！陕西电子元件物料回收行情
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将磁芯或者说磁环所处的覆铜芯板靠近电路板内侧的铜箔蚀刻掉)。所述环形槽中固定有磁环(例如，对应各环形槽的磁环4，第二磁环5，第三磁环6等)。沿所述环形槽的外圈外侧设置有若干外过孔(例如，环初级绕组外过孔10，环次级绕组外过13，第二环初级绕组外过14，第二环次级绕组外过孔17，第三环初级绕组外过18，第三环次级绕组外过孔21等)，沿所述环形槽的内圈内侧设置有若干内过孔(例如，环次级绕组内过孔11，环次级绕组内过孔12，第二环初级绕组内过孔15，第二环次级绕组内过16，第三环初级绕组内过孔19，第三环次级绕组内过20等)。所述外过孔和内过孔均采用激光打孔(例如，激光过孔技术实现精确打孔)。所述若干外过孔包括初级绕组外过孔和次级绕组外过孔(例如，环初级绕组外过孔10，环次级绕组外过13，第二环初级绕组外过14，第二环次级绕组外过孔17，第三环初级绕组外过18，第三环次级绕组外过孔21等)，所述若干内过孔包括初级绕组内过孔和次级绕组内过孔(例如，环次级绕组内过孔11，环次级绕组内过孔12，第二环初级绕组内过孔15，第二环次级绕组内过16，第三环初级绕组内过孔19，第三环次级绕组内过20等)。初级绕组和次级绕组均采用印制线连接过孔的方式形成(也就是说。陕西电子元件物料回收行情
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