强流电子枪一般由球面阴极、聚焦极和带孔阳极构成。强流电子枪与弱流电子枪主要是由空间电荷效应强弱来相区分的，空间电荷效应强弱用P来表示。所谓空间电荷效应，就电磁场对在其中运动的电子注产生作用，而电子束的运动又会明显影响其周围的电磁场分布，产生一个自洽效应。空间电荷效应在横向和纵向产生的效果是不一样的，由此可将其分为横向空间电荷效应和纵向空间电荷效应。在横向，电子注产生的空间电荷场将将使得电子束在空间中发散；在纵向，由于电子注的存在将改变腔体内电位分布，在阴极附近形成虚阴极，使电子的运动速度减慢，当电子越过阴极势垒后又会使其速度加快，总的来说会减慢电子注的运动，因此强流电子枪的设计相对于弱流电子枪较困难些。轴向电子枪的灯丝阴极发射电子，阳极对电子加速。广东电子枪灯丝压块哪家好
目前，电子元器件更新换代周期越来越短。以集成电路为例，按照摩尔定律，每18个月其尺寸缩小一半，而集成度提升一倍。由于元器件的升级换代速度越来越快，以及国外厂商合并重组等原因导致的元器件停产，就给很多已服役和仍在生产的航空航天等高级装备的维护和生产带来了很大的困难。 另外，以美国为首的西方国家形成联盟，长期对我国实行严格的出口限制政策。以美国为例，制定了严格的政策和相关措施限制高新技术及产品出口。美国商务部制定了商品管制清单(Commerce Control List， CCL)，严禁将清单内的电子元器件出口到相关国家和地区。这种电子元器件的禁运政策也给我国高性能的航空航天装备的研制和生产造成了较大影响。广东电子枪灯丝压块哪家好在电子枪里，具体速度值取决于加速电压的高低。
很多人会有这样一个困惑，为什么电子元器件也要保密呢？不是只对PCB文件保密就可以了吗？其实不是这样的，对电子元器件进行保密的主要目的是保护电子元器件的设计程序。电子元器件的保密方法有哪些？ 首先，电子元件上的标记可以用专门工具打磨掉，然后涂上环氧树脂，以避免损坏电子元件。这是较简单、较粗糙的方法，但是一般不推荐这个方法哦。 第二，将电子元件放入罐中并密封（只适用于含有敏感芯片的电子元件），但请记住，频繁打开会加速元件的损坏。 第三，硬件加密用于电子元件。具体实施过程将不再详细描述。用硬件加密的电子元件即使在计算机上也无法识别，更不用说获取任何数据了。
电子枪的导流系数表征电子注空间电荷的大小。 当阳极电流受空间电荷限制时，电子枪的阳极电流（发射电流）与阴阳极间电压有关，如果不考虑相对论效应，它们之间的关系是3/2次方的比例关系，也称二分之三次方定律。 在空间电荷限制下，不论电极系统的形状如何，二分之三次方定律是普遍适用的，电极形状不同，只影响前面的比例系数。当电极形状一定时，在一般情况下，导流系数是一个常数，与温度无关，导流系数的大小表示电子枪发射电子的能力强弱。也就是说，导流系数是一个对电子注强度度量的量，它表征了电子注空间电荷的大小。电子枪的间热式阴极通常加工成块状，由另一个灯丝对阴极进行间接地加热。电子枪控制的实质问题是在预定的电子束途径上，确定所需要的电磁场。
电子元器件发展史其实就是一部浓缩的电子发展史。电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术，二十世纪发展较迅速，应用较普遍，成为近代科学技术发展的一个重要标志。 1906年，美国发明家德福雷斯特（De Forest Lee）发明了真空三极管（电子管）。一代电子产品以电子管为关键。四十年代末世界上诞生了一只半导体三极管，它以小巧、轻便、省电、寿命长等特点，很快地被各国应用起来，在很大范围内取代了电子管。五十年代末期，世界上初次出现了集成电路，它把许多晶体管等电子元件集成在一块硅芯片上，使电子产品向更小型化发展。集成电路从小规模集成电路迅速发展到大规模集成电路和超大规模集成电路，从而使电子产品向着高效能低消耗、高精度、高稳定、智能化的方向发展。电流流过灯丝，灯丝烧热阴极，当阴极达到发射电子的温度时，就发射出电子来。广东电子枪灯丝压块哪家好
阴极表面原子的外层电子，受到一定的热能或电能的激励后，会越出轨道的束缚而成为自由电子。广东电子枪灯丝压块哪家好
电子枪元器件在我们的生活中可谓是处处可以见到，而随着科技的发展，电子枪元器件的种类也越来越多，同时也开始向高频化、微型化的方向发展。 电子枪元器件成套性和成系列。这是由整机的电子线路、频段和频率特性、精度、功能、功率、储存和使用的条件及环境、使用寿命的要求来决定的。 电子枪元器件的投资强度变化较大，不同时期变化较大，特别是生产规模、产品产量、生产条件和生产环境要求。其他产品虽然技术难度也高，但产量有限，设备自动化程度低，投资强度小得多。电子枪的直热式阴极加工成丝状，而直接通电加热发射电子束。广东电子枪灯丝压块哪家好